TERACT · HyperGate V40
Vista de producto para evaluación preliminar. Resume el esquema funcional del gate stack, métricas esperadas y la ruta experimental propuesta sin divulgar espesores exactos, geometrías reservadas ni valores confidenciales.
Esquema del stack
El enfoque separa funciones de interfaz, aislamiento y acoplamiento electrostático para mejorar el equilibrio entre leakage y control de canal.
Elemento conductor integrado con una pila de compuerta compatible con flujo avanzado de manufactura.
Dieléctrico orientado a preservar capacitancia efectiva sin empujar el sistema a una penalización de fuga excesiva.
Región diseñada para modular el compromiso entre control electrostático, estabilidad interfacial y comportamiento por túnel.
Entorno transistor donde la calidad interfacial y el stack de compuerta determinan la respuesta eléctrica global.
KPIs esperados
Los siguientes indicadores representan metas técnicas esperadas y deben verificarse mediante test wafer, C-V/I-V y comparación contra estructuras de referencia.
Menor fuga de compuerta en condiciones relevantes para nodos avanzados.
Capacitancia efectiva y comportamiento interfacial más robustos frente al escalamiento.
Mejor equilibrio entre desempeño, consumo en reposo y presupuesto térmico.
Ruta experimental ampliada
La validación ampliada se plantea como una ruta por etapas para separar efecto de arquitectura, variación de proceso y comportamiento eléctrico real.
Fabricación de estructuras experimentales y lotes de referencia sobre una ventana de proceso controlada.
Caracterización de capacitancia efectiva, respuesta electrostática e interfaz gate / dieléctrico / canal.
Medición de corriente de fuga, respuesta en reposo y comportamiento eléctrico bajo sesgos de operación.
Comparación estadística frente a stacks tradicionales para evaluar mejora, dispersión y robustez.
Siguiente paso
La discusión de parámetros reservados, integración con foundry o revisión más profunda se canaliza mediante solicitud directa y, cuando aplique, bajo NDA.